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또 발광다이오드나 레이져 다이오드의 제조에 널리 활용된다. D.. 앞에서 설명했던 플레이너 트랜지스터가 개량된 형태로,, 액상 애피택셜 성장(LPE)방식, 오실로스코프 D. 전류의 기본이 되는 캐리어로서는 하나의 극성 캐리어(전자나 정공의 어느 한쪽)만을 이용하므로, 이른바 바이폴러 트랜지스터가 컬렉터로 흐르는 주 전류를 베이스의 전류로 컨트롤하는 데 비하면 주 전류가 전압에 따라서 증감 컨트롤하는 것이「전계 효과 트랜지스터」이며, IC에서 LSI, 이번엔 N형 불순물(donor)의 인(P)을 가진 인화 수소(PH3=포스핀)를 섞은 가스를 흘려서 반응시킨. , 반도체 단결정의 구조를 에피택셜 기술에 의해서 섬세하게 만들어지고 있는데, Field Effect Transistor를 약해서 FET라고 한다. ・또 기판을 P형 실리콘으로 하여 이것에 N형의 에피택셜 층을 만들어 붙이고 싶은 경우에는 마찬가지로 이 P형 실리콘 웨이퍼를 고주파로 가열하면서, 단극성(unipolar) 트랜지스터라고 한다. 전계효과 트랜지스터(FET) 앞에서 말한  ......

 

 

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실험결과 LED, 오실로스코프

 

D. 에피택셜 플레이너 트랜지스터 epitaxial planer transistor의 에피택셜은 ‘축 방향을 갖추어‘라는 뜻으로 규칙적으로 ...

 

D. 에피택셜 플레이너 트랜지스터

epitaxial planer transistor의 에피택셜은 ‘축 방향을 갖추어‘라는 뜻으로 규칙적으로 바르게 결정축을 갖추어 새롭게 만들어 붙이는 기술을 말한다.

앞에서 설명했던 플레이너 트랜지스터가 개량된 형태로, 반도체 단결정의 구조를 에피택셜 기술에 의해서 섬세하게 만들어지고 있는데, 현재의 트랜지스터는 거의 대부분 이 형태로 되어 있다.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

・에피택셜 기술에는 기상 에피택셜 성장(VPE)방식을 비롯, 액상 애피택셜 성장(LPE)방식, 분자선 에피택셜 성장(MBE) 방식 등의 방법이 있지만, 어느 것이나 반도체 결정의 결정 축에 따라서 새로운 결정 층을 성장시켜 그 불순물 농도를 바꾼다든지, 다른 종류의 결정을 성장시킨다든지(이 형식은 hetero 구조라고 한다.) 할 수도 있다.

그림은 그 중 하나인「기상 애피택셜 성장 방식(VPE=Vapor Phase Epitaxy)」장치의 예인데, 기판을 되는 N형의 실리콘(Si) 단결정 웨이퍼를 고주파 가열로 1250℃로 가열한다.

이 용기 속에 사염화규소(SiCl4)를 환원성 가스의 수소(H2)와 섞어서 흘려 보내고, 동시에 P형 불순물용의 붕소(B)를 가지는 디보란(B2H6)을 포함한 가스를 흘려 보내면 N형 단결정 위에는 P형으로 변신한 실리콘 단결정 층이 성장해 가는 상태가 된다.

・또 기판을 P형 실리콘으로 하여 이것에 N형의 에피택셜 층을 만들어 붙이고 싶은 경우에는 마찬가지로 이 P형 실리콘 웨이퍼를 고주파로 가열하면서, 이번엔 N형 불순물(donor)의 인(P)을 가진 인화 수소(PH3=포스핀)를 섞은 가스를 흘려서 반응시킨다.

에피택셜 시굴은 주역인 반도체의 구조를 세밀하고 정교하게 만들므로 트랜지스터는 물론이고, IC에서 LSI, 또 발광다이오드나 레이져 다이오드의 제조에 널리 활용된다.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2. 전계효과 트랜지스터(FET)

앞에서 말한 보통의 트랜지스터, 이른바 바이폴러 트랜지스터가 컬렉터로 흐르는 주 전류를 베이스의 전류로 컨트롤하는 데 비하면 주 전류가 전압에 따라서 증감 컨트롤하는 것이「전계 효과 트랜지스터」이며, Field Effect Transistor를 약해서 FET라고 한다.

전류의 기본이 되는 캐리어로서는 하나의 극성 캐리어(전자나 정공의 어느 한쪽)만을 이용하므로, 단극성(unipolar) 트랜지스터라고 한다.

 

 

 

 

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